2017年缺货涨价一浪更比一浪高，如今眼看今年已步入尾声，MOSFET与电阻再度掀起新一轮缺货涨价潮。短短两天里，江苏长电科技再度发布涨价通知，适当调高MOS成品价格，国巨也通知称，即日起厚膜电阻一般品停止接单......
12月25日，江苏长电科技股份有限公司向其可客户发布涨价通知，通知称由于芯片产能严重不足，芯片材料价格大幅上涨，经公司研究决定，适当调高MOS成品价格，具体调价幅度以具体产品为准。以上决定从2017年12月26日起开始执行。
长电科技涨价
今天(12月26日)，国巨再发向其经销商发出通知，即日起厚膜电阻一般品停止接单。通知称，考虑到本公司的订单需求远大于现有产能，为了维持交货的服务水平，即日起（2017-12-26）所有厚膜电阻一般品停止接单，恢复正常接单日期会再另行通知。
厚膜电阻悉列： 一般厚膜电阻产品（RC系列），尺寸从0201、0402、0603、0805到1206。 大尺寸厚膜电阻产品（RC系列），尺寸从1210、1218、2010到2512。
MOSFET方面，长电科技在此之前已于2017年9月1日发出通知对所有MOS管价格上调20%、累计涨幅已达50%，在长电大涨MOSFET价格后，其它供货商立刻全面跟进涨价，包括大中、尼克松、富鼎等台系 MOSFET 供货商纷纷涨价。
如今长电科技再度调涨，其他厂商或也将跟进。据悉，目前业内已有半导体功率器件厂商决定从2018年对MOSFET各系产品上调价格，涨价幅度基本保持在10%左右。
以下为今年MOSFET涨价时间表（不完全统计）：
2017年9月1日，长电科技对所有MOS管价格上调20%；
2017年9月1日，西安后羿半导体产品价格上调10%以上；
2017年9月19日，长电科技再次调涨MOS成品售价，调价幅度10%~30%不等；
2017年10月20日，乐山无线通知12月1日起所有产品调涨10%以上；
2017年11月1日，芯电元调涨10%以上；
2017年12月6日，无锡新洁能通知元旦后涨价幅度10%左右；
2017年12月25日，长电科技再次通知自2017年12月26日起适当调高MOSFET成品价格。
一方面，大厂产能转进高端产品，造成中低阶产品严重缺货，另一方面8英寸晶圆厂产能吃紧、硅晶圆产能不足，MOSFET交期一般来说是8周左右，现在中低阶MOSFET产品订单交货时间已拉长至3个月以上。12月初，DIGITIMES报道指出，高压MOSFET芯片解决方案已缺货长达1年多，2018年上半全球高压MOSFET芯片市场供需缺口仍达30%的情况，短期内恐难获得解决。
近期国际MOSFET芯片供应商纷纷找上两岸晶圆代工厂及封测厂洽谈合作，希望扩大在高压MOSFET芯片产品线的技术及产能合作空间。其中，世界先进传出被客户包厂生产，台积电上海6吋厂亦有客户看上，至于捷敏、逸昌等台系封测厂2018年产能亦已被国际芯片大厂预订。
如今，MOSFET供应缺口已覆盖高、中、低压，近期包括大中、富鼎、尼克森等台系MOSFET芯片供应商，相继喊出目前客户需求盛况是近20年来所未见的。市场预测，目前MOSFET市场供需缺口高达3成，供不应求状况势必延续到2018年，且价格仍存在调涨空间，MOSFET大厂的订单能见度已看至明年第一季度。
至于电阻方面，国巨是电阻龙头企业，月产能超过900亿颗，如今因供不应求而停止接单，可见电阻市场需求仍旺盛。电阻在2017年上旬也曾出现涨价现象，国巨、厚声、华新科、旺诠、风华高科、宇阳等原厂对片式电阻产品通知涨价后，涨幅在10%左右。
以下为今年电阻涨价时间表（不完全统计）：
2017年2月25日，厚声发布通知，自3月1日起上调部分电阻产品价格，涨幅10%左右；
2017年4月19日，国巨发布通知，自4月19日起对晶片电阻R-CHIP和晶片电容MLCC价格调整；
2017年4月20日，风华高科发布通知，自4月21日起对片式电阻器进行价格调整；
2017年7月10日，大毅发布通知，表示即日起暂停0603-1206芯片电阻产品的接单，待检讨售价后才恢复接单。
原本下半年电阻市场供需缺口已有所缓解，但近期市场传出电阻也在酝酿涨价。有芯片电阻厂商指出，近两个月来上游陶瓷基本供应趋于紧张，若趋势不变，明年确实出现涨价的空间。
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生态健康发展，才是半导体产业发展基石！
2017年国内半导体产业涨价潮
硅晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。CPU，FLash和DRAM都是使用晶圆切割而成（不同晶圆用途不同）。
前几年硅晶圆的价格非常稳定，但到了2017年第一季度突然涨价10%。据了解，12寸抛光硅晶圆（polished）原本合约均价为每片50～60美元，外延硅晶圆（epitaxial）为每片80美元，第一季均调涨10%幅度。20纳米以下高阶硅晶圆原本合约均价约120美元，第一季已调涨至10美元至130美元左右。
第二季度硅晶圆价格继续上涨，累计涨幅已超过20%，自7月开始的第3季合约价再调涨10%左右。SEMI指出，第2季硅晶圆出货总面积为2,978百万平方英寸，与第1季相较增加4.2%，若与2016年同期相较，则成长10.1%。SEMI旗下SMG会长暨环球晶圆发言人李崇伟表示，这主要是受到8寸及12寸晶圆出货所带动，全球硅晶圆出货量已连续五季创新高。
硅晶圆供给紧张和涨价的主要驱动因素
大厂全力投入3D NAND扩产；工业与汽车半导体、CIS、物联网等IC芯片需求庞大；全球扩建晶圆厂让需求大幅成长，使得整体半导体硅晶圆市况转为供不应求。
1、全球晶圆代工大厂台积电、三星电子、英特尔进入高端制程工艺竞赛，20nm以下的先进工艺将在整个晶圆代工中的比例越来越高，先进的工艺对高质量大硅片的需求越来越大；
2、三星、SK海力士、英特尔／美光、东芝等全力投入3D NAND扩产，3D NAND的投资热潮将刺激300mm大硅晶圆的需求；
3、尽管智能手机的增速放缓，但是手机创新不断，对高端300mm硅晶圆需求仍将快速增长。同时工业与汽车半导体、CIS、物联网等IC芯片开始快速增长，这为8寸和12寸硅片带来新的增量；
4、大陆半导体厂商大举建厂扩产晶圆，对硅晶圆的需求庞大。中国大陆 2017-2020 年将有 26 座新的晶圆厂投入营运。
5、主要硅晶圆供货商近几年没有扩产，正好遇到半导体厂晶圆产能大量开出，所以2017年处于缺货情况，2018年也将供不应求甚至延续到2019年。为确保2018年硅晶圆供货无虞，全球半导体大厂采预付订金方式确保明年货源， 价格则每季调涨。目前，日本硅晶圆大厂Sumco5月起已决定砍掉大陆NOR Flash厂武汉新芯的硅晶圆订单 ，优先供货给台积电、英特尔等大厂，加速造成大陆半导体硅晶圆不足困境。
投建大硅片项目对我国集成电路产业的意义就是上游自主可控
目前国内至少已有8个硅片项目：包括上海新昇、重庆超硅、宁夏银和、浙江金瑞泓、郑州合晶、宜兴中环晶盛项目、西安高新区项目等。
目前国内的总需求约为45万片/月，预估到2020年我国12寸硅片月需求量为80-100万片。而目前我国规划中的12寸硅片月产能已经达到120万片，已经足够满足我国的需求量。一定程度上可以缓解硅晶圆缺货的问题。
铜箔是覆铜板(CCL)及印制线路板(PCB)制造的重要的材料。在当今电子信息产业高速发展中，电解铜箔被称为：电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”。
自2016下半年起，铜箔进入涨价周期。2017年第一季度，在消费电子淡季与新能源汽车市场低迷的双重影响下，铜箔价格维稳，涨势趋缓；而大型玻纤纱厂停窑维修刺激玻纤布供应短缺，价格飙升。因此，以铜箔与玻纤布为原材料的覆铜板延续去年三四季度涨势，价格持续上行。
二季度，受下游价格及库存处理等因素影响，铜箔价格稍有回落。今年7月份以来，下游PCB行业进入行业旺季，iPhone8、华为Mate10、魅族PRO7、小米Note3等众多手机新机型将进一步带动三四季度的旺季PCB需求，奠定铜箔和覆铜板涨价的基础。
到第三季度，电解铜箔厂订单量爆满，需求直线上升，金宝股份、威利邦、建滔积层板、金安国纪等企业已经开始对铜箔和覆铜板价格进行调整：
如上可知，铜箔紧缺、CCL紧缺、PCB交货困难，持续了一年的铜箔、CCL涨价又开始影响整个PCB行业。
PCB的基材主要是覆铜板CCL，CCL占PCB材料成本约40%左右，而CCL当中，铜箔占CCL成本30%（厚板）/50%（薄板）、玻纤布占40%（厚板）/25%（薄板）、环氧树脂15%左右。去年8月起，CCL上游铜箔受锂电铜箔供需紧张的影响开始涨价，玻纤布也自2016年四季度开始涨价。
近年来，我国已逐渐成为全球印制电路板的主要生产基地，已经形成了以珠三角地区、长三角地区为核心区域的PCB产业聚集带。
随着沿海地区劳动力成本的上升，部分PCB企业开始将产能迁移到基础条件较好的中西部城市，如湖北黄石、安徽广德、四川遂宁等地。据Prismark预测，到2020年，中国PCB行业产值将达310.95亿美元，占全球PCB行业总产值的比重为50.99%。 国内的PCB企业实力将不断增强。
存储器行业正处于强劲增长的阶段。Yole在其《2017年存储器封装市场与技术》报告中预计，2016~2022年整个存储器市场的复合年增长率约为9%，到2022将达到1350亿美元，DRAM和NAND市场份额合计约占95%。此外，供需失衡正推动存储器半导体芯片价格上涨，导致存储器IDM厂商获得创纪录的利润！
存储器的需求来自各行各业，特别是移动和计算（主要是服务器）市场。平均而言，每部智能手机的DRAM内存容量将增长三倍以上，预计到2022年将到6GB左右，而每部智能手机的NAND存储器容量将增加5倍以上，预计到2022年将达到150GB以上。对于服务器来说，预计到2022年DRAM存储器容量将达到0.5TB以上，企业级市场SSD的NAND存储器容量将高达5TB以上。这些市场的增长驱动力来自深度学习、数据中心、网络、AR/VR和自动驾驶。
NOR闪存市场正在复苏，预计将以惊人的16%复合年增长率成长，预计到2022年将达到44亿美元，主要原因是其在如AMOLED显示器、触摸显示驱动器IC和工业物联网等新领域的应用。
DRAM作为半导体存储器的产品类型之一，常见产品形态是内存条，主要的两个应用市场是PC和智能手机。
从2015年底到2016年的上半年，DRAM的价格一直在下滑。由于需求强劲，DRAM价格从2016年下半年以来每季都调涨，报价连续七季升高，堪称DRAM史上时间最长的涨价。统计2016年全年涨价情况，DRAM价格涨幅约为20%-30%；2017年价格涨幅约为40%。
从需求端来看，智能手机内存容量的升级，以及服务器/数据中心的强劲需求，拉升了需求的成长。
就供给面来看，全球DRAM内存颗粒严重短缺，产能严重不足，兴建新工厂满足市场需求已经是必要决策。
然而，兴建一座 12 寸厂动辄需要一年的时间，加上机台移入与试产，产能开出时间将会落在 2019 年。从目前三大 DRAM 厂的产能规划来看，预计 2018 年各家新增投片量仅约 5-7%，这些新增产能皆来自现有工厂产能的重新规划与制程转进。
DRAM大厂技术与产能布局
三星今年的目标除了专注于18nm制程的持续转进外，近几季DRAM的高获利，也刺激三星开始思索可能的DRAM扩产计划，一方面应对供给吃紧状况，另一方面则期望提高DRAM产出量，压抑DRAM价格上涨幅度。三星此举将可巩固领先地位，维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。
SK海力士今年目标还是着重于21nm的良率提升与该制程占比，18nm制程产品则预计年底会有小量出货；至于扩厂计划，SK海力士在中国无锡新建的第二座12英寸厂最快要到2019年才会有产能开出。
台湾美光内存(原瑞晶)目前仍致力于改善17nm产品的稳定度，预期到年底良率可达80%以上，而台湾美光晶圆科技(原华亚科)今年仍以20nm制程良率的提升为主，明年将可望有一半产能转往17nm生产。
台系厂商部分，南亚科第三季营收较前一季小幅成长5.3%，主要因为该公司以利基型产品为主，价格上扬幅度不及国际大厂较完整的产品线。展望未来，由于该公司20nm良率继续提升，将会持续改善成本结构，增加南亚科的获利空间。力晶科技方面，DRAM季营收下滑3.6%，主因是替晶豪科、爱普等代工的获利佳，排挤部分DRAM产能；华邦方面营收则成长8.7%，但由于后续制程转进状况不明，未来获利状况将完全受内存平均销售单价提升的牵动。
附2017年各DRAM厂财报：（来源：集邦咨询）
图|2017第一/二季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排行
图|2017第三季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排行
NAND Flash
NAND Flash广泛应用在各种存储卡，U盘，SSD，eMMC等等大容量设备中。
回顾2017年上半年，第一季在供给端由于2D-NAND转往3D-NAND，技术转换的空窗期导致市场缺货，NAND Flash价格出现了有史以来最大且持续最长的上涨。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，NAND Flash每GB的价格从2016年的0.12美金一路上涨至0.3美金，主流的eMMC价格上涨60%以上。因为这一涨价范围，2017年大部分在售手机将价格上调100元，SSD价格涨幅则超过80%。
进入第二季后，尽管工作天数恢复，促使笔记本电脑及平板电脑等装置的需求较前一季增加，但中国市场智能型手机、平板等消费类产品需求下滑，价格涨幅因此较前季趋缓。
第三季在苹果十周年新机上市以及服务器的双头马车带动下，整体供应缺口进一步扩大，但价格经过数季的调涨以后，已经来到各个OEM厂所能接受的上限，致使价格调涨空间受限。
第四季在服务器需求减小的影响下，仅剩苹果的需求动能较为显著，而东芝晶圆报废一事亦不如外传严重，加上3D-NAND的扩产脚步未停，致使市场更趋向供需平衡状态，整体合约价以持平或小涨开出。预计NAND Flash2018年会降下20%左右。
图|目前NAND主要大厂生产工艺和月产能
图|2017第三季度全球NAND厂自有品牌内存营收排行
Nor flash特点是价格贵、集成度低、无坏块，一般用于具有操作系统的电子产品中，用于存放boot。通信设备，如交换机、路由器都会用到。目前，IPhone8也导入了Nor Flash。
2017 年第 1 季，NOR Flash供货短缺的情况，主要是存储器大厂美光，计划把重心放在成长和应用快速成长的DRAM和NAND Flash快闪存储器等产品上，对主要客户发出退出NOR Flash事业的通知，要客户提早应对，因此引起一连串应用大厂紧急寻找替代供货来源，导致供应链大洗牌。如此，也造成包括美系音响大厂，以及欧系车用系统大厂都来中国台湾地区拜访厂商，抢产能的情况。
第三季众所瞩目的苹果新机iPhone8开始准备量产以及各家品牌即将进入今年最大一波新手机备货需求，加上个人电脑、网络通讯等需求也进入旺季备货效应，因此NOR Flash缺货的情况更为显著，让NOR Flash价格创下自去年以来最大的上涨幅度，达到季涨10-15%的水准。
NOR Flash在第四季度合约价将再次上涨 15%，CINNO预期2017年整年度NOR Flash价格将较去年年成长超过30%。
从供给端看，NOR Flash整体收缩，美光逐步退出市场，CYPRESS退出中低容量，台系与大陆厂商进行扩产。预计17/18/19年全球NOR的产能在20.16/22.95/25.98万片/月。
根据全球 NOR Flash 大厂旺宏电子三季报及法说会，旺宏电子未来暂无扩产计划，会通过产线调整提升现有设备产能。旺宏电子预计 NOR Flash 至少会缺货到明年，其中低容量供求状况可能会趋于稳定，高容量、高质量的缺货状况明年暂时不会改善。据 Digitimes 的资料，预计 NOR Flash 第四季度合约价将再次上涨 15%。NOR Flash 涨价和产能扩充将成为公司业绩增长的主要动力。
而对于大陆，国内NOR Flash生产主要由代工厂生产，而NOR Flash一般是毛利率最低的产品，代工厂一般不会主动加大的产能，另一方面国内NOR Flash大厂武汉新芯上游硅片受到日系厂商限制，预计到明年对大陆总供给依然会产生影响，涨价情况将延续。
受惠于存储器价格的上涨，上游存储厂商营收和利润均表现亮眼。
三星（Samsung）
三星Q3营收62.05兆韩元，同比增长29.8%，营业利润达14.53兆韩元，同比暴增179.4%
● 存储业务营收16.3兆韩元，同比增长65%，半导体营收19.9兆韩元，同比增长51.4%。
● 三星未来将扩大1xnm DRAM技术提升，重点加大10nm级产品和扩大差异化产品，如：HBM销售、高带宽的LPDDR4x。
● 满足服务器SSD市场需求，加大V-NAND供应，以及加快发展第五代V-NAND。
● 增加10纳米产品和图像传感器来驱动盈利增长，重点投资EUV相关基础设施来加强7纳米产品竞争力。
美光（Micron）
美光Q4（6月-8月）营收61.4亿美元，环比增10.3%，同比增91%，净利润23.7亿美元，2016年同期亏损1.7亿美元。
● DRAM业务营收约占66%，其中服务器约占30%，移动领域约20%；DRAM销量增长5%，平均销售价格上涨8%。
● NAND业务营收约占30%，其中SSD业务约20%，移动业务20%，汽车、工业以及其他嵌入式应用等约20%，消费领域约占40%；NAND销量增长3%，平均销售价格上涨5%。
●预计2017年DRAM Bit供应量将增长20%，NAND Bit供应量增长将高于30%。
● 汽车应用市场对20nm的DDR和LPDDR需求显著增加，汽车级1Xnm DRAM开始送样。
● 正在与多方进行1Xnm LPDRAM 0EM认证，基于3D TLC的eMCP和eMMC解决方案通过认证。
● 部署1Xnm DRAM和64层3D NAND生产计划，预计在2017财年结束前有稳定的产出量，第三代3D NAND预计在2018年进行投产。
SK海力士（SK Hynix）
SK海力士Q3季度营收8.1兆韩元，营业利润3.74兆韩元，净利润3.06兆韩元，同比分别上涨91%、415%、411%。
● DRAM营收约占整体营收77%，NAND Flash约占21%，受惠于市场需求状况良好，DRAM和NAND营收均持续上升。
● 受惠于需求强劲，以及价格上涨，DRAM Bit出货环比增长17%，平均价格上涨6%。
● NAND Bit出货量随季节性需求增加而环比增长16%，平均价格环比下滑3%。MCP业务，DRAM 4GB/NAND 32GB和高密度产品需求增加。
● 客户端的SSD涨价力度有限，但是附加值在增加；企业级SSD虽然价格较高但是需求在增加。
● 计划在Q4批量生产1xnm DRAM，同时HBM2产品也将在该季度提供。
（营收数据来自中国闪存市场）
MLCC涨价潮始于2016年下半年全球第四大MLCC厂商日本TDK宣布退出一般型MLCC市场，引发产品供应紧张，部分物料单颗价格涨幅超10倍。更严峻的是，这波涨价已持续一年有余，且尚未缓解。
下图是MLCC全球主要大厂本轮涨价的时间轴，其中全球第三大MLCC厂商、苹果MLCC供应商国巨更是一年内四次提价，MLCC市场供需缺口备受瞩目。
本轮MLCC供给紧张和涨价的主要驱动因素如下：
下游需求结构改变、大厂商产能结构化转移、扩产远水难解近渴，以及原材料涨价从成本端驱动价格上涨。
1、市场需求结构改变
MLCC（片式多层陶瓷电容）是电子产品中不可或缺的基本零部件，随着通信标准演进、新能源行业扩张和电子产品不断升级，在终端产品持续创新的背景下，MLCC的需求结构也发生着颠覆式的变化。
● 电子产品：手机厂商转型高端市场，高端产品需要的MLCC用量增加。
● PC端：PC与智能手机一样保持高速增长态势。PC改了方案，现行方案比原来方案的MLCC用量也增加了。
● IoT：物联网(IoT)技术盛行，MLCC提供通讯设备或服务器利用。
● 汽车电子：汽车对MLCC的需求量极大，全球车用MLCC 需求量的年复合增长率为8%。预计到2024年，全球车用MLCC 需求量将达到6762 亿颗，相比于2015 年的3369 亿颗的需求量增长一倍。
● 安防：安防市场对MLCC的需求与手机厂商相当，排名前列的安防大厂其小型化MLCC月用量与手机大厂基本持平。
2、大厂商产能结构化转移
由于一般型MLCC市场份额之前一直为多家大厂商占据，经过多年激烈竞争，利润空间所剩无几。TDK率先转型，淡出利润稀薄的一般型MLCC，转向利润空间更大的高端MLCC，进而MLCC巨头的竞争战略由过去的价格竞争转变为产能结构化转移。
另一方面，iPhone 8于2017年二季度启动备货周期，各大厂商进一步压缩非苹果系的MLCC产能供应。此外，三星手机爆炸事故促使三星电机加强品控，延长交货周期，加剧了MLCC供不应求的状况。
3、扩产远水难解近渴
由于MLCC价格自2000年以来始终处于大厂商的激烈竞争之中，未出现过厂商涨价情况，因此下游企业备货相对保守，故而持续的供不应求使得下游企业措手不及。尽管全球各大MLCC厂商均有扩产计划，但新增产能短期内仍难以满足供需缺口。
全球主要MLCC厂商扩产计划如下：
从主要厂商扩产计划来看，新增产能将于2018年二季度开始至2019年初陆续落地，届时供需失衡的局面将有所缓解。
4、原材料涨价从成本端驱动价格上涨
MLCC主要成本构成如下：
● 陶瓷粉末整体呈现价格上涨趋势，国瓷材料2017年上半年陶瓷粉末价格上涨10%
● MLCC所需金属材料价格在过去一年时间里均呈震荡上升走势。
● MLCC的需要用到薄型载带、原纸等材料由于国内近年来环保整治，价格一路走高。
MLCC上游几大主要原材料在过去一年多的时间内，价格大体呈现震荡上行走势，成为推动MLCC价格上涨的重要影响因素之一。
截至12月月中，MLCC的涨价暂时有所缓解，业内预计将在1月停止涨价，甚至大幅降价。
（以上MLCC数据来自虎犇数据）
在电阻的众多应用领域中， 智能手机、汽车电子、LED照明、新能源、物联网、工控机器人需求凸显。今年电阻器市场，上半年需求稳中有升，实际需求按正常规律提升。
原物料及人工成本的上扬，使得厂家无法承受纷纷调升出厂价，造成市场上的各类代理商/经销大量下单囤货应付预期的涨价，从而导致各工厂出现产能满载，供不应求的状况，但这并不能代表终端客户真实需求在增长。同时不排除市场上利用环保压力、原材料上涨等因素炒作，造成短期市场大规格产品货源较紧部分电阻。
国巨、厚声、华新科、大毅、旺诠等台湾原厂相继涨价后，国内电阻生产商也将跟进，没想到这么快，风华高科营销中心4月20日向客户发产品涨价通知。
通知内容如下：由于多项原材料和包材成本持续攀升，导致我司部分片式电阻器成本上涨，经营压力加大。因此经过我司核算成本和市场分析后，我司决定对片式电阻器进行价格调整。其中，1-10R产品价格对应标准产品精度、型号的单价乘以1.1倍，2017年4月21日起正式实施。风华高科市场人士表示，在此之前客户下单相关产品交期已经延长，价格调整文件已经下放，涨价确认属实。
整体看，今年电阻市场表现如下：
1、片式化占主流，价格不降反升
比起插脚电阻，贴片电阻具有体积小、重量轻、寄生效应小、可实现自动化贴装等优点，另外，其单一焊接工艺使PCB组装简单并具有成本效益，因此一直占据市场主导地位。
由于手机等消费性产品小型化、便携性趋势，片式电阻目前出货量最大的是0402尺寸。将各个尺寸的电流做到极致并尽量小型化，是未来市场需求的方向，也是让利润价格薄弱的厚膜电阻再升级的方向。
各因素叠加导致大尺寸片式电阻货源紧张，出现供不应求的局面。
● 需求不断增加。加之利润率低导致部分厂家对大规格产品；
● 扩产积极性不高。
● 此外，去年下半年开始，国家加大环保整治力度，对电阻产出影响较大。
目前，整个电阻器市场处于同业削价竞争，甚至负毛利状态（尤其是碳膜电阻器和片式电阻市场）。贴片电阻价格不跌反涨，还有原因是两三年前许多电阻大厂部分减产甚至停产，转而生产圆柱型贴片电阻以面向工控市场，造成短时间出现缺货或交期变长。
也许受大尺寸片阻的货源紧张的影响，目前大尺寸片阻价格有所上扬。小尺寸电阻产品的市场需求量仍增加中， 0805/1206尺寸电阻主要用在工业、汽车等领域，市场成长相对较稳定。由于许多客户基于人工成本考虑已开始采取自动贴装机生产，因此预计1206、 2010等SMD电阻器的市场需求，仍有成长的机会。
2、片式电阻短期供应仍有缺口
在原材料价格一涨再涨的情况下，一些顶不住压力的电阻器生产厂家已率先提高出厂报价，且交期普遍拉长至8-10周。厚膜电阻完全以价格为导向，最便宜的订单最多，产能最满，品牌考虑次之。厚膜市场涨价之后，对厂商而言比拼的将是产能以及涨价后的价格。
对于低阶电阻，经济规模是其唯一可走的路，如果跟不上市场价格波动就只有被并购或是扩大产能降低成本。电阻涨声四起，只会造成厚膜电阻厂商新一轮的洗牌，并不会造成市场齐扬。
自2016年下半年开始，功率半导体行情回暖，MOSFET供不应求加剧，交期不断拉长，国内外MOSFET企业纷纷调涨，目前整体涨势仍然未见缓和。由于汽车电子等新增需求持续爆发，半导体产业链出现缺货，上游硅晶圆等原料持续走高。
有业界人士表示，下游需求旺盛，功率半导体器件交货期延长，MOSFET交期一般来说是8周左右，但9月开始交期已拉长到20周以上，终端厂商为了巩固货源，愿意追加价格抢货，致使MOSFET价格高涨。
图|MOSFET产品调价时间轴
MOSFET涨价的主要驱动因素如下：
原材料硅晶圆的涨价，大厂退出小功率市场改往高端市场，无线充电兴起成为手机厂的新应用，指纹识别芯片及PMIS、CIS需求量暴涨、汽车市场不断扩大。
从供给端看，MOSFET大厂瑞萨退出中低压市场，英飞凌等大厂产能集中在汽车、工控等中高端市场，导致中低压MOSFET供应减少。而由于功率器件和普通MOS工艺大部分可通用，导致在8英寸产线上功率MOSFET产能部分被指纹识别芯片及PMIS、CIS等挤占，也是MOSFET供应减少的原因。
从需求端看，传统旺季PC/笔记本电脑需求量提升，导致MOSFET成倍增加；另外在iPhone 新品带动下，无线充电正成为手机厂的新应用，导致MOSFET需求强劲；而MOSFET在汽车领域的应用以年复合增长率5.1%的速度增加，有望超越计算和数据存储领域。再加上原材料8英寸硅晶圆短缺，价格进入300美元区间，更为MOSFET涨价添把火。
从目前上游硅晶圆的供应情况看，今年以来硅晶圆价格逐季调涨，在第3季调涨10～15%后，平均价格已到70美元左右，第4季续涨10%，平均价格站上80美元大关。明年第1季更因为供给端出现近10%的缺口，预期报价可能上涨10～20%狂飙至100美元。硅晶圆厂已通知大客户若先预付订金，就可先巩固产能及锁定出货价格。
如此，MOSFET价格未来可能还会上涨。而从终端需求看，智能手机快速充电、无线充电等市场火热，由于USB-PD快充以及苹果新一代手机支持无线充电的带动，对功率器件的需求就在眼前。
据工信部的数据显示，2016年中国汽车产销突破2800万辆，已连续八年位居世界第一位。尤其新能源汽车，中国已经成为其最大的生产和销售市场。根据赛迪顾问的报告，功率半导体占到新能源汽车新增半导体用量的76%、新能源整车半导体用量的50%。受新能源汽车市场消息的刺激，功率器件MOSFET在充电管理、BMS电池管理，MCU驱动电源以及充电桩上广泛应用的需求潜力巨大。
从长期来看MOSFET市场成长比较乐观。目前国内外MOSFET厂商包括：
● 欧美日韩：英飞凌、TI、安森美、ST、AOS、罗姆、瑞萨、东芝、韩国美格纳、KEC等。
● 台系：富鼎先进、茂达电子、强茂、友顺、尼克森等。
● 中国大陆：杭州士兰微、乐山无线电、江苏长电科技、广东风华高科、苏州固锝、无锡新洁能、苏州东微、深圳德普、西安后羿、吉林华微电子、深爱半导体等。
未来MOSFET厂商将受益于终端市场以及新能源汽车需求爆发。
目前，MOSFET仍然受到上游产能的影响，8寸线产能由于受到指纹芯片挤占未能充足给到MOSFET。然而最新发布的iPhoneX取消了指纹识别，取而代之的是人脸识别，市场风向转变，指纹识别芯片的应用以及出货或将受此影响，那么进而能否释放部分产能呢。与此同时，相信晶圆厂也将适时考虑扩产计划。这一切或许能对MOSFET的供应紧张形势起到缓解作用。
MCU单片微型计算机是为不同的应用场合做不同组合控制。诸如手机、PC外围、遥控器，至汽车电子、工业上的步进马达、机器手臂的控制等，都可见到MCU的身影。
由于汽车电子及物联网大量导入MCU架构，加上包括意法、德仪、瑞萨等IDM厂产能不足，导致交期大幅拉长至3个月以上，部份缺货严重的料号交期更长达半年。 随着终端需求明年上半年进入淡季，加上晶圆代工产能支持，交期可望缩小至3个月以内，但仍较安全交期的1～1.5个月长。
各厂商交期汇总：
● 恩智浦：放弃8位MCU市场不再生产，32位MCU交期为12-14周；
● 赛普拉斯：Cypress的32 位 MCU产品交期10-12周，部分8位MCU产品交货周期从8-10周延长至16周，对多款产品价格和交期进行调整；
● 微芯：Microchip延长交期至12-16周；
● 瑞萨电子：Renesas受地震频发影响，Renesas的产能偏于保守导致该公司8位和32位MCU交期延长至25周；
● 意法半导体：8位和32位MCU交期为14-16周产品线稳定交货。车用MCU和旧产品线延长3周。
目前，MCU只是缺货交期延长，并未涨价。
IGBT是能源变换与传输的核心器件，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。通过供应链渠道反馈，近来IGBT产品供应趋紧有缺货现象。信息显示，一些品牌IGBT以前交期为12周，现在20周交期都不能保证。Fairchild目前交期20-24周，由于对技术的高需求导致的后端产能限制，IPM模块货期将从14周增加至40周。英飞凌的CO-Pack 产品 （整流器组合)）货期达到 20 周以上。ST意法半导体目前交期普遍较长，未来6个月产能已满载。
目前IGBT、IPM缺货交期拉长，并未涨价。
目前中国在许多领域，中高端市场上用到的关键原材料和生产工具(包括设备、仪器等)，大多把持在欧美、日本和韩国人手里，中国企业只能在没有多少技术含量的产业环节里，以廉价的代工优势，换取一些血汗钱而已。对于生产所必需的原材料和生产工具，只有排队等候的份。
随着《中国制造 2025》的发布，现在中国正在全力布局半导体产业，从IC设计、晶圆加工、封装、测试，已经形成了一条完整的产业链。未来我们将不再受制于人，我们将使用自主知识产权的科技产品。未来的定价权会掌握在我们自己手里，电子产品涨价之苦，今后一定将会得到缓解。
转自：半导体行业联盟半导体行业联盟